Kontakt- und Leitbahnsysteme

Rasterelektronenmikroskopie (REM) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) haben sich in den letzten Jahrzehnten zu Standardtechniken für die Analyse von integrierten Schaltungen entwickelt.

In Anbetracht der steigenden Zahl an Kontakten und der zunehmenden Leitbahndichte ist eine moderne Waferproduktion ohne die Ergebnisse dieser abbildenden Verfahren nicht vorstellbar.

Speziell für die Fehleranalyse sind als Vorbereitung der REM- und TEM-Analysen oft komplizierte Präparationen notwendig.

Das SGS INSTITUT FRESENIUS verfügt über langjährige Erfahrungen auf
dem Gebiet der Probenpräparation sowie der REM- und TEM-Analytik und setzt diese Methoden auch gezielt in Kombination mit anderen Verfahren ein.

Unsere Leistungen:

  • Querschnittspräparation für REM und TEM Bruch, Schliff, chemische Präparation, FIB-Schnitt
  • Oberflächenparallele Präparation für TEM
  • Rückpräparation von Schichten Naßätzen, Trockenätzen, Horizontalschliff
  • Abbildung mittels REM oder TEM detailierte Untersuchung von Kontakten und Leitbahnen, Ermittlung der physikalischenStruktur, Bestimmung von horizontalen und vertikalen Maßen
  • Technologierelevante Bewertung der Ergebnisse

Ihr Ansprechpartner

SGS INSTITUT FRESENIUS GmbH
Königsbrücker Landstr. 161
D-01109 Dresden
t: +49 351 8841 - 0
f: +49 351 8841 – 190

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